ESD静电抑制器的伏安特性曲线与TVS类似，与TVS不同的是，ESD静电抑制器功率较小，工作电压也较低，ESD静电抑制器的工作电压根据被保护芯片的工作电压来设计。

    VRWM：反向截止电压，即ESD静电抑制器允许施加的最大工作电压，在该电压下ESD处于截止状态，ESD静电抑制器的漏电流很小，可以达到10纳安左右。

    IR：反向漏电流，即在ESD静电抑制器两端施加VRWM电压下测得ESD静电抑制器的漏电流。

    VBR：击穿电压，击穿电压是ESD静电抑制器要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1mA的电流下测量。

    IPP：峰值脉冲电流，ESD静电抑制器一般采用8/20μs的波形测量。

    VC：钳位电压，在给定大小的IPP下测得ESD静电抑制器两端的电压。

    Cj：PN结的结电容，会影响数据传输，高频信号选取ESD静电抑制器时，一定要考虑Cj对信号的影响。

二、ESD静电抑制器主要特点：

    1、ESD静电抑制器是一种 钳位型 过压保护器件，用于静电防护及一些较低浪涌的防护；

    2、 ESD静电抑制器电压根据被保护IC 的工作电压设计，如2.5V、2.8V、3.3V、5V、8V、12V、15V、24V、36V等；

    3、 电容低，目前最小可做到0.17pF，满足10GMbps高速应用，不影响数据通信质量；

    4、封装小型化，封装形式多样化。